納米材料是指三維尺寸中至少有一維尺寸為 1-100 nm的材料,包含了顆粒、纖維、薄膜等形態(tài)。納米材料顯示出常規(guī)材料所不具備的特殊性質,在使用時可取得超常的效果。
納米粉體通常以顆粒的形式存在,可分為金屬、高分子和陶瓷納米粉體。陶瓷納米粉體在塑料、橡膠、涂料、造紙、藥物、油墨、磨料、傳統(tǒng)建筑陶瓷和高性能陶瓷等領域有著極為廣泛的應用。例如,納米Al2O3、SiO2加入到普通橡膠中可以提高橡膠的彈性、耐磨性和介電特性,添加到塑料中可提高塑料的強度、韌性、致密性和防水性;納米CaCO3、ZnO可改善聚氨酯涂料的硬度和機械性能。納米Al2O3、ZrO2 粉末燒結成的各種高性能陶瓷可降低燒成溫度、減少能耗,且力學及熱學性能都得到極大改善。
納米粉體在上述應用領域發(fā)揮重要作用,在很大程度上依賴于其形貌、粒徑( 或孔徑) 及其分布,因此,對納米粉體進行準確表征十分關鍵。在常用的測試方法中,激光粒度儀的反演算法有時難以讓人滿意; BET氮吸附法缺乏顯微形貌信息; 因為納米顆粒不容易分散,透射電鏡獲取的又是二維投影圖像,觀察時需盡量避開堆疊區(qū)域,導致視場狹小并缺乏統(tǒng)計性,所以在形貌和尺寸分布的判斷上仍需謹慎。而掃描電子顯微鏡(SEM)能夠彌補以上方法的不足。
圖1 SEM的技術特點總結
SEM發(fā)明于1937年,并于1965年被廣泛使用。隨后推出的場發(fā)射掃描電鏡兼顧了高分辨、大視野和高景深的特點,在陶瓷納米粉體的表征上有重要的應用價值。但是,通常電鏡的加速電壓≥5 kV,入射電子束會在絕緣樣品表面產(chǎn)生過多的電子或空穴,形成不穩(wěn)定電場,在顯微圖像上顯示為明暗相間的條紋或畸曲的圖像,通常被稱為荷電效應或充電效應。
荷電效應不僅降低圖像分辨率,而且嚴重影響了對樣品的形貌、成分和結構信息的獲取。荷電效應會導致納米粉體的圖像出現(xiàn)畸變,為減輕荷電效應而采取的鍍膜方法也難免會遮蓋粉體本身的形貌。
?圖2 在常規(guī)電壓下,荷電效應會觀察陶瓷納米粉體的觀察
圖3 鍍 Pt 膜對納米陶瓷粉體顯微形貌的影響,鍍膜(左圖)不鍍膜(右圖)
如何拍攝陶瓷納米粉體?-Apreo2的成像策略
而掃描電鏡Apreo2在低加速電壓上做的性能優(yōu)化,非常適合陶瓷納米粉體的拍攝。以下是Apreo2鏡筒的設計示意圖及鏡筒內信號示意圖。
圖5 Apreo2鏡筒設計示意圖及鏡筒內信號示意圖
Apreo2設計了三位探測器(T1/T2/T3),充分利用了鏡筒內的豐富信號。T1探測器靠近極靴的位置,可以對非導電、易電子束損傷有機樣品的進行高分辨BSE成像,即使在<3PA的束流,也能夠保持高信噪比。T2探測器可以不鍍金對非導電樣品的高分辨成像、而且可以在大工作距離下保持(WD=10mm)高分辨成像,WD=10mm的工作距離可以兼顧能譜的分析。T3主要針對導電樣品的高分辨成像,以及平整樣品的電位襯度成像。
以下是Apero2拍攝陶瓷納米粉體的案例。
納米級Al2O3粉末具有超塑性,可以制備低溫塑性氧化鋁陶瓷;也可滿足多層電容器的電子陶瓷元件的厚度要求小于10μm;也可作為極薄的透明涂料,噴涂在諸如玻璃、塑料、金屬、漆器、大理石上;也可以分散在金屬中,提高鋁的強度。
1931年Kister通過水解水玻璃的方法首次制備出氣凝膠.納米量級顆粒相互聚合形成的連續(xù)三維網(wǎng)絡結構,多孔非晶態(tài)。二氧化硅氣凝膠復合材料可用在隔熱保溫材料、催化劑及載體、聲阻抗耦合材料等領域。
圖8 陶瓷納米粉體
研磨前(左圖)和研磨后(右圖)對比,研磨后的顆粒為20nm左右,可以對砂磨機的研磨效果進行評估。
為什么說Apreo2的T1和T2探測器能夠輕松實現(xiàn)陶瓷納米粉體的高分辨觀察?
要回答這個問題前,我們要討論電荷效應產(chǎn)生的原因及尋找E2平衡點的便捷性。首先,在常規(guī)的實際電鏡操作中,為消除荷電效應,需要極大的耐心尋找 E2 值來維持電荷平衡,且不同電壓來回切換需要重新合軸和消像散,導致測試效率不高,因此,單純通過尋找平衡電壓來消除荷電效應的方法存在諸多限制。第二,電荷特別容易集中在正光軸的位置,如果鏡筒內的探測器施加偏壓,就特別容易把電荷信號一并收集過來。
圖10 電荷效應產(chǎn)生示意圖及電荷信號發(fā)射方向示意圖(沿正光軸位置最強)
而T2探測器位置設計,無偏壓吸引電子信號(包括荷電效應的電子信號),可以最大程度的避開了沿中軸方向的荷電信號,同時保持了較高的信噪比。這樣,就把過去需要尋找的E2平衡點,拓寬成一個平衡范圍,操作上就非常輕松。這也是T2探測器能輕松拍攝陶瓷納米粉體的原因之一。
掃描電鏡低電壓技術的概念雖然早在 1960 年就被提出,但是在2000年后才開始大規(guī)模應用。說明低電壓技術本身存在很多限制因素。低電壓時入射電子束能量較低,帶來信號產(chǎn)生區(qū)小、更能反映表面信息等一系列優(yōu)點,但是也受制于電子光學,比如更明顯的衍射效應和較大的色差。
在考慮空間分辨率時,較小的信號產(chǎn)生區(qū)會有益于分辨率的提高,而電子光學對束斑的限制則阻礙了分辨率的提高。通過減小工作距離可以減小物鏡的色差和球差系數(shù),仍能獲得較高分辨率的圖像,但是該措施存在極限和限制。如果在整個光路上,電子束持續(xù)保持在恒定的低能量,衍射差和色差帶來束斑的擴展還是無可避免地妨礙分辨率的提升,所以,在電子光學和鏡筒設計上,現(xiàn)代高分辨掃描電鏡采用了諸多優(yōu)化措施,而場發(fā)射掃描電鏡Apreo2 無疑是其中杰出的代表。
[1]李鳳生,劉宏英,陳靜,等. 微納米粉體技術理論基礎[M]. 北京: 科學出版社,2010: 241 - 242.
[2]盧壽慈,沈志剛,鄭水林,等. 粉體技術手冊[M]. 北京: 化學工業(yè)出版社,2004: 673 - 992.
[3]黃勇,張立明,汪長安,等. 先進結構陶瓷研究進展評述[J]. 硅酸鹽通報,2005,24( 5) : 91 -
[4]PAN L C,ZHANG F G,MENG R,et al. Anomalous change of airy disk with changing size of spherical particles[J].Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer,2016,170: 83 - 89.
[5]WILLIAMS D B,CARTER C B.Transmission electron microscopy: a textbook for materials science[M].Berlin: Springer,2009: 9-10.
[6]HAGUENAU F,HAWKES P W,HUTCHISON J L,et al. Key events in the history of electron microscopy[J].Microscopyand Microanalysis,2003,9: 96-138.
[7]SHAFFNER T J,VELD R D V‘Charging’effects in the scanning electron microscope[J]. Journal of Physics E: ScientificInstruments,1971,11( 4) : 633-637.
[8]GOLDSTEIN J I,NEWBURY D E,MICHAEL J R,et al. Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis[M].4 thed.Berlin: Springer,2018: 134-138.
[9]CAZAUX J.Charging in scanning electron microscopy‘from inside and outside’[J].Scanning,2004,
[10]JOY D C,JOY C S.Low voltage scanning electron microscopy[J]. Micron,1996,27( 3 /4)
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