賽默飛電子顯微鏡將成熟的技術和創(chuàng)新的功能結合，是需要對日益復雜的結構和更小的尺寸進行更大量精確測量的半導體和內存環(huán)境的平臺是半導體和存儲環(huán)境對先進制程日益復雜的結構和不斷縮小的尺寸進行大量精準測量的平臺。
賽默飛電子顯微鏡擁有透鏡內背散射探測器T1，其位置緊靠樣品以便盡可能多地收集信號，從而確保在很短的時間內采集數據。與其他背散射探測器不同，這種快速的探測器始終可保證良好的材料對比度，在導航時、傾斜時或工作距離很短時也不例外。
在敏感樣品上，探測器的價值凸現出來，即使電流低至幾pA，它也能提供清晰的背散射圖像。復合末級透鏡通過能量過濾實現更準確的材料對比度以及絕緣樣品的無電荷成像，進一步延伸了T1BSE探測器的潛在價值。它還提供了流行選項來補充其探測能力，例如定向背散射探測器和低真空氣體分析探測器(GAD)。所有這些探測器都擁有的軟件控制分割功能，以便根據需求選擇最有價值的樣品信息。
賽默飛電子顯微鏡按照標準配備各種用以處理絕緣樣品的策略，對于最有挑戰(zhàn)性的應用，可提供電荷緩解策略。其中包括可選的低真空(最高為500Pa)策略，通過經現場驗證的穿鏡式差分抽氣機構和專用低真空探測器，不但可以緩解任何樣品上的電荷，還能提供分辨率和較大的分析電流。
